логотип Компасс  
  Магазин     Мой Кабинет    Тех. Поддержка      Оплата и Доставка       О Фирме   
Скидка 4–5 %
Сделать стартовой Добавить в избранное Новичок  Каталог  Поиск  Рекомендуем  Сравнить  Корзина  Задать вопрос  Правила  Товар б/у
 
[?]  [Вернуться к просмотру] Цена, описание и характеристики

Накопитель SSD 250 GB, Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)

Увеличить
увеличить: Фото 1  
 Добавить в корзину в корзину 
Цена: 4 857 ₽   
 Известить об изменении цены 
Показать все новинки в данной группе
Есть в наличии: Отделение Центрального р-на
Отделение в г.Жигулёвск
Перемещение товара между офисами может занять от нескольких часов до нескольких дней
Группа: Жёсткие диски и SSD
Подгруппа: Твердотельные накопители
Производитель: Samsung (другие товары этой фирмы на нашём сайте)
Описание в сети: http://www.samsung.com/ru/memory-storage/860-evo-sata-3-m-2-ssd/MZ-N6E250BW/
Страна производитель: Китай
Оценка покупателей:
Гарантия: 60 месяцев
Вес брутто: 0.07 кг
Код EAN: 8801643068684
Краткое описание: M.2 2280, SATA3 (6 Гбит/с), чтение до 550 МБ/с, запись до 520 МБ/с, 3D TLC V-NAND flash, контроллер Samsung MJX
Примечания: Ресурс (TBW): 150 ТБ. Устойчивость к ударам: 1500G (в течение 0.5 мс). Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1.5 млн часов. Поддержка технологий S.M.A.R.T., TRIM, Garbage Collection (сборка мусора). Поддержка имен World Wide Name (WWN). Поддержка спящего режима. Поддержка 256-битного AES шифрования, TCG Opal, IEEE1667. Технология Intelligent TurboWrite (ускорение последовательной записи путём создания буфера внутри SSD - макс. объём SLC-кеша 12 ГБ). ПО Samsung Magician для мониторинга и управления SSD (доступно на сайте производителя). Комплектация: SSD накопитель, руководство по установке
Характеристики товара:
Основные характеристики  Форм-фактор  M.2 
  Объём накопителя  250 ГБ 
  Интерфейс  SATA3 
  Пропускная способность интерфейса  6 Гбит/с 
Скоростные характеристики  Скорость чтения  до 550 МБ/с; скорость чтения случайных блоков по 4КБ: до 97000 IOPS (QD32); до 10000 IOPS (QD1) 
  Скорость записи  до 520 МБ/с; скорость записи случайных блоков по 4КБ: до 88000 IOPS (QD32); до 42000 IOPS (QD1) 
Буфер  Буферная память  512 МБ DDR4 
Питание  Энергопотребление  4.0 Вт (макс.); 2.2 Вт (среднее); 50 мВт (в ждущем режиме) 
Технология  Контроллер  Samsung MJX 
  Технология  3D TLC V-NAND flash 
Физические характеристики  Размеры  80.15x22.15x2.38 мм 
  Вес  8 г 

* Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений.

 
[?]  [Оставить отзыв о товаре] Отзывы покупателей
Ваш отзыв будет первым.